Entre -50°C et +50C en T°C du core (Delta de 100°C) il se passe 2 phénomènes :
- La dérive thermique de tt semiconducteur est de 2mV/°C soit 200mV pour un Delta de 100mV
- La résistance du silicium est plus faible (moins de pertes)
Entre 40 et 45°C, loin de la T°C max de stabilité du proc, je ne vois pas ce qui pourrait impacter sa stabilité
Message édité par jmax_oc le 07-06-2005 à 16:20:51