Bonjour, voila je souhaite savoir quel sont les réglages que je doit mettre dans mon bios pour les timings de ma mémoire.
Voici les spécifications de ma mémoire de marque Samsung PC3200 :
Power supply : Vdd=2.6V ± 0.1V, Vddq=2.6V ± 0.1V
Double-data-rate architecture;two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Differential clock inputs(CK and /CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
Programmable Read latency 3 (clock) for DDR400/466
Programmable Read latency 2.5 (clock) for DDR333
Programmable Burst length (2,4,8)
Programmable Burst type (sequential &interleave)
Edge aligned data output,center aligned data input
Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
Serial presence detect with EEPROM
PCB : Height 1,250 (mil), single (256MB) and double(512MB) sided
SSTL_2 Interface
CC(DDR400@CL=3)
Speed @CL3 : 200MHz
CL-tRCD-tRP : 3-3-3
Et voici les réglages que j?ai dans mon bios :
CAS#Latency
RAS#Precharge
RAS#ToCAS#Delay
Precharge Delay
Brust Length
Merci d?avance pour votre aide
Message édité par kika73 le 20-02-2004 à 13:51:57
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Boitier Antec SONATA,MSI 875P NEO FIS2R, PENTIUM IV 2.8C ventilateur d'origine, Mémoire Samsung 2 x 256 DDR PC3200, Carte vidéo Asus V9520TD Geforce FX5200, Disque dur IBM 120 Go cache 8 Mo