Reprise du message précédent :
Tu vas dans FCLK fréquency et tu déroule le menu puis tu choisi la fréquence voulu.

Cool merci les gars :  
 

 
Vous pensez que je suis bien comme ça ? Franchement, je vous remercie vraiment pour votre aide, réactivité et sympathie !

plus qu'à faire un petit memtest cette nuit pour être sûre, tu dois pouvoir gratter encore quelques timings (regarde tes chips de ram avec ce soft http://www.softnology.biz/)
 
ensuite, passe au 5950X !

top !
 
maintenant qqs bench pr être sûr que c'est stable
 
3dmark par exemple pr commencer, (demo gratuite sur steam)
voire occt en big, ou power, etc.

Tout est synchro et 1900 mhz effectifs c'est très bien.
Après tu en bidouillant tu peux peut être choper les 2000 mais bon est-ce que ça en vaut la peine ? je ne pense pas..
edit : Ca ne coute rien un petit cinebench R20 et/ou R15 pour voir les scores de ta machine et par la même occasion avoir une idée de la stabilité du système

2000mhz flck avec 2x32 c'est compliqué, sauf si t'as une giga chatte sur l'IMC...

FCLK ne ce bench pas avec memtest ou autre coté WHEA, mais avec OCCT comme si tu bench le CPU.
 
Ton VDDG IOD est trop haut, je doute que t'ai besoin de 1.0477v, tu peux tombe 0.95v safe.

 
Yep

je parle memtest pour vérifier la vie de la mémoire, vu qu'elles sont neuves perso je teste toujours (un peu parano mébon )

 
Rien avoir avec l'IMC mais avec FCLK. IMC = UCLK, il faut pas confondre.

Les gars, je ne trouve pas le version demo sur Steam uniquement la version payante Je veux bien faire tous les tests que vous souhaitez lol  
 
Je viens de trouvé OCCT, le test vas duré 1h ? OMG  
 

Oui, parcontre met en SSE et pas en AVX2

Edit : Met aussi hwinfo, mode sensor et tu check la ligne WHEA tout en bas, il peut arrive qu'OCCT ne detecte pas celle que Hwinfo detecte, si tu vois BUS interconnexion error alors c'est ton FCLK et tu dois le tombé.

Je peux le faire en 10 minutes ou je dois laissé 1h pour que ce soit objectif  ?

 
Laisse une heure, 10min c'est trop bas, de monte côté jarrive a tenir du 4133fclk 30min sans WHEA et ensuite spawn error pour te donné une idée.

 
Je ne vois pas HWinfo, mode sensor et la ligne WHEA !  
 

 
https://ibb.co/9TXGsWZ

Merci; j'ai bien coché la ligne WHEA !

Ci-joint le résultat :  
 

Propre, il te reste plus qu'à optimiser les timings

Merci pour ton aide et comment je fais ça ? Y a un logiciel qui s’en occupe et c’est dans le bios ? Merci à toi

Etape 1 : Il faut que tu dl Thaiphoon http://www.softnology.biz/files/thphn165.zip ensuite tu fais EEPROM > Read SDP pour charge les specs de ta RAM. Ensuite une fois que ta les specs en visu, tu fais Report et tout en bas du clic sur Show delays in nanoseconds, ensuite Export > Complete HTML Report et tu sauvegarde sur le bureau.
 
Etape 2 : Tu télécharge DRAM calculator https://www.techpowerup.com/downloa [...] alculator/, Processort Zen2 > Memory Type tu met le type de puce mémoire de ta RAM, tu trouvera dans thaiphoon, DRAM PCB Version Manuel, Memory Rank 2, Frequence 3800Mhz, DIMM MOdules 2 et Motherboard x570. En bas tu trouvera Import XMP, tu charge ton rapport thaiphoon et tu clic sur Calculate SAFE en vert. Tu prend un screen des timings proposé ou une photo avec ton tel ensuite tu règle tous sa dans le bios.

Merci j'essaye ça !

J'ai le message "not supported" !

Donne ton rapport thaiphoon.

Upload plutôt le rapport html ^^ j'en ai besoin pour voir le potentiel de te RAM selon ce que propose dram calculator ^^

Manufacturing Description Module Manufacturer: G.Skill
Module Part Number: F4-4000C18-32GTRG
Module Series: Trident Z Royal Gold
DRAM Manufacturer: Hynix
DRAM Components: H5ANAG8N[M/A]JR-VKC
DRAM Die Revision / Process Node: N/A / Not determined
Module Manufacturing Date: Undefined
Module Manufacturing Location: Taipei, Taiwan
Module Serial Number: 00000000h
Module PCB Revision: 00h
Physical & Logical Attributes Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM
Module Speed Grade: DDR4-2666V downbin
Base Module Type: UDIMM (133,35 mm)
Module Capacity: 32 GB
Reference Raw Card: B1 (8 layers)
JEDEC Raw Card Designer: Micron Technology
Module Nominal Height: 31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front: 1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back: 1 < T <= 2 mm
Number of DIMM Ranks: 2
Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Mirrored
DRAM Device Package: Standard Monolithic
DRAM Device Package Type: 78-ball FBGA
DRAM Device Die Count: Single die
Signal Loading: Not specified
Number of Column Addresses: 10 bits
Number of Row Addresses: 17 bits
Number of Bank Addresses: 2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing: 2 bits (4 groups)
DRAM Device Width: 8 bits
Programmed DRAM Density: 16 Gb
Calculated DRAM Density: 16 Gb
Number of DRAM components: 16
DRAM Page Size: 1 KB
Primary Memory Bus Width: 64 bits
Memory Bus Width Extension: 0 bits
DRAM Post Package Repair: Supported
Soft Post Package Repair: Supported
DRAM Timing Parameters Fine Timebase: 0,001 ns
Medium Timebase: 0,125 ns
CAS Latencies Supported: 10T, 11T, 12T, 13T,
14T, 15T, 16T, 17T,
18T, 19T, 20T
Minimum Clock Cycle Time (tCK min): 0,750 ns (1333,33 MHz)
Maximum Clock Cycle Time (tCK max): 1,600 ns (625,00 MHz)
CAS# Latency Time (tAA min): 13,750 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): 13,750 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min): 13,750 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min): 32,000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): 45,750 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min): 550,000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min): 350,000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min): 260,000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min): 3,000 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min): 4,900 ns
Write Recovery Time (tWR min): 15,000 ns
Short Write to Read Command Delay (tWTR_S min): 2,500 ns
Long Write to Read Command Delay (tWTR_L min): 7,500 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min): 5,000 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min): 21,000 ns
Maximum Active Window (tMAW): 8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC): Unlimited MAC
DRAM VDD 1,20 V operable/endurant: Yes/Yes
Supply Voltage (VDD), Min / Typical / Max: 1,16V / 1,20V / 1,26V
Activation Supply Voltage (VPP), Min / Typical / Max: 2,41V / 2,50V / 2,75V
Termination Voltage (VTT), Min / Typical / Max: 0,565V / 0,605V / 0,640V
Thermal Parameters Module Thermal Sensor: Not Incorporated
SPD Protocol SPD Revision: 1.1
SPD Bytes Total: 512
SPD Bytes Used: 384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh): 0348h (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh): DF74h (Error)
Part number details JEDEC DIMM Label: 32GB 2Rx8 PC4-2666V-UB1-11
Frequency CAS RCD RP RAS RC RRDS RRDL WR WTRS WTRL FAW
1333 MHz 20 19 19 43 61 4 7 20 4 10 28
1333 MHz 19 19 19 43 61 4 7 20 4 10 28
1200 MHz 18 17 17 39 55 4 6 18 3 9 26
1200 MHz 17 17 17 39 55 4 6 18 3 9 26
1067 MHz 16 15 15 35 49 4 6 16 3 8 23
1067 MHz 15 15 15 35 49 4 6 16 3 8 23
933 MHz 14 13 13 30 43 3 5 14 3 7 20
933 MHz 13 13 13 30 43 3 5 14 3 7 20
800 MHz 12 11 11 26 37 3 4 12 2 6 17
800 MHz 11 11 11 26 37 3 4 12 2 6 17
667 MHz 10 10 10 22 31 2 4 10 2 5 14
Intel Extreme Memory Profiles Profiles Revision: 2.0
Profile 1 (Certified) Enables: Yes
Profile 2 (Extreme) Enables: No
Profile 1 Channel Config: 2 DIMM/channel
XMP Parameter Profile 1 Profile 2
Speed Grade: DDR4-4000 N/A
DRAM Clock Frequency: 2000 MHz N/A
Module VDD Voltage Level: 1,40 V N/A
Minimum DRAM Cycle Time (tCK): 0,500 ns N/A
CAS Latencies Supported: 18T N/A
CAS Latency Time (tAA): 9,000 ns N/A
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD): 11,000 ns N/A
Row Precharge Delay Time (tRP): 11,000 ns N/A
Active to Precharge Delay Time (tRAS): 21,000 ns N/A
Active to Active/Refresh Delay Time (tRC): 32,000 ns N/A
Four Activate Window Delay Time (tFAW): 24,000 ns N/A
Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S): 2,000 ns N/A
Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L): 4,849 ns N/A
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1): 550,000 ns N/A
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2): 350,000 ns N/A
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4): 260,000 ns N/A
Show delays in clock cycles

J'ai mon PC qui se met à redémarrer tout seul subitement depuis hier Environ toutes les 20 minutes bizarre